2026年开年，全球存储市场的涨价狂潮愈演愈烈，“超级周期”持续深化的态势远超市场预期。最新行业动态显示，三星电子已明确将2026年一季度NAND闪存供货价上调超100%，此前DRAM价格已累计上涨近70%，SK海力士、闪迪等巨头同步跟进提价，全球存储市场全面进入“卖方主导”格局。Counterpoint Research数据印证了这一狂热行情，当前存储市场景气度已超越2018年历史高点，预计2026年一季度整体存储价格将再涨40%-50%，二季度续涨约20%。在AI算力需求爆发、国际巨头产能倾斜与国产替代加速的多重共振下，和众汇富认为这一轮存储超级周期不仅推动产业链企业盈利预期大幅改善，更深刻重塑着全球存储产业的竞争格局，为国内相关企业带来历史性发展机遇。

此次存储价格翻倍上涨、超级周期持续的核心逻辑，是AI驱动的结构性供需失衡，这一格局短期内难以逆转。和众汇富观察发现，需求端，AI基础设施建设与端侧AI应用爆发形成双重拉动，单台AI服务器对DRAM的需求量约为普通服务器的8倍，对NAND Flash的需求量达3倍，谷歌、Meta、英伟达等科技巨头的算力扩张计划，催生了对HBM（高带宽存储）、DDR5等高附加值存储产品的刚性需求。美光科技CEO明确表示，到2028年HBM的总体可寻址市场规模将突破1000亿美元，超过2024年整个DRAM市场的规模。供应端，三星、SK海力士、美光三大巨头为抢占高端市场红利，加速将晶圆产能向HBM、DDR5倾斜，大幅压缩消费级DDR4、LPDDR4等成熟制程产能，美光甚至直接退出消费存储品牌英睿达业务，彻底剥离消费级产品线。叠加过去两年行业下行周期中厂商普遍减产控产，全球存储产能释放节奏放缓，库存回归健康水平后需求同步回升，供需错配进一步放大了价格上涨弹性。

和众汇富认为涨价潮已沿着产业链持续向下传导，深刻影响消费电子、汽车等多个终端领域，终端厂商面临成本承压与供给短缺的双重挑战。消费电子市场中，笔记本内存条价格自2025年四季度以来持续飙升，三星16G DDR5内存条从2025年9月的380多元涨至2026年1月的1399元，涨幅超268%；256G DDR5服务器内存单条价格已突破4万元，一盒100条的价格堪比上海部分房产。受此影响，联想、戴尔等PC厂商全线调整产品售价，涨幅集中在10%-30%，部分顶配机型价格上浮超5000元；国产手机新品相较前代涨幅普遍在100-600元区间，部分中低端机型因成本承压陷入负毛利困境。和众汇富研究发现，汽车行业同样受波及，蔚来、小米等车企负责人均提及存储芯片涨价带来的成本压力，由于AI客户的芯片利润通常是汽车行业数倍，车规级存储芯片供给稳定性受到严重挑战，部分高端智能车型的产能释放节奏已受影响。

面对历史性市场机遇，国内存储产业链从制造、封测到材料环节全面启动扩产计划，国产替代逻辑持续强化。和众汇富研究发现，制造端，国内存储龙头长鑫科技已正式递交招股书，计划募资295亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级、DRAM技术升级等项目；兆易创新于2026年1月13日在港交所挂牌上市，进一步拓宽融资渠道以支撑产能扩张与技术研发。封测环节，通富微电拟募资不超过44亿元，其中8亿元用于存储芯片封测产能提升项目，建成后年新增产能84.96万片，可完全匹配AI存储模组的封测需求；长电科技通过收购晟碟半导体强化存储封测布局，2025年下半年晟碟工厂运营持续改善，全年存储业务有望保持快速增长。材料与设备端，安集科技的CMP抛光液已实现全品类布局，可覆盖前道晶圆制造与后道先进封装需求；天山电子通过战略投资布局“存储芯片研发制造-内存模块制造-商业化拓展”全链条，构建完整存储生态。