2026年8月26日，PCIM Asia 2026展会在深圳开幕。世强硬创平台围绕电力能源等主题，发布AI电源、SST固态变压器、光储充、SiC、GaN、液冷散热等方向的解决方案与配套能力。

AI发展持续推高算力密度，使单机柜功率从数十千瓦迈向数百千瓦乃至更高，传统多级降压、整流、变换链路在效率、铜耗、散热和空间上压力增大。供电架构需同步升级：提高母线电压、缩短变换级数，并配套保护与散热。

据现场资料显示，世强硬创在本届展会集中推出面向AI数据中心供电的多套方案，覆盖SST固态变压器，适配800V HVDC的砖块电源&模块电源，固态断路器SSCB等环节。相关方案已在麦格米特、长城电源、阳光电源、西安为光、先控捷联、道通等企业的项目中得到应用。

展会现场

AI电源与固态变压器：面向800V HVDC的解决方案

AI算力集群单柜功率持续走高，传统低压直流架构在铜耗、散热与空间利用率上接近上限。世强硬创推出的SST固态变压器配合800V HVDC方案，将10kV级中压交流转换为800V高压直流，减少中间降压与整流环节，为后端分配提供高压直流母线。相同功率下，电流约为传统低压直流架构的约1/16，铜耗可减少约45%，机柜空间可优化约30%。

在现有配电条件场景下，同步推出380Vac转800Vdc的PSU模块方案：基于SiC碳化硅器件实现双向变换，兼顾转换效率与功率密度，用于将机房交流配电转换为800V直流母线，满足高功率算力负载的能源变换需求。

后端分配方面，重点推出800V转54V的10kW全砖电源与800V转54V的10kW模块电源。前者在模块内部采用ARM主控与高频功率器件，在大功率输出下控制体积，缓解功率与体积之间的矛盾；后者面向AI数据中心配电柜，通过高频变换完成高压与低压之间的转换。

围绕同一供电路径，还配套SST用SiC功率模块、驱动与保护等产品。高压侧多款SiC MOSFET可用于SST功率变换；系统安全方面配备SSCB固态断路器，面向高压直流场景可分断超30000次。800V降压环节另有100V eGaN FET（RDS(on)低至1.2mΩ）、150V/40V GaN MOS（6kW输出效率超过97%）等产品，以及峰值效率97.7%的3kW数字AI电源方案。

液冷散热：高功率密度场景的散热方案

机柜功率密度上升后，散热成为限制持续算力的关键因素之一。新一代高功耗GPU单卡功耗约在1000W至1200W量级，仅靠风冷难以在满载下长期维持频率；NV交换机、网络交换机等高速链路同样需要稳定温控。据了解，行业在高密度机柜中普遍采用液冷，以降低热降频、稳定时延并延长硬件寿命。

散热方面，LiquidJet液冷方案单芯片散热能力覆盖600W至1950W+，兼容现有液冷管路与机柜结构。面向高效能运算，还推出液体冷却与3D VC等相关方案，与800V HVDC供电方案形成配套。

SiC与GaN：多电压段产品与驱动配套

器件层面，世强硬创同时推出从约40V到3300V的SiC、GaN产品及驱动配套。GaN侧包括650V双向器件、100V eGaN IC等，侧重高频高密度，隔离驱动CMTI可达200kV/μs；SiC侧覆盖顶部散热MOS、车规级产品、3300V高压器件，以及面向800V平台的水冷模块和开关损耗降低约70%的国产IPM，并配套带米勒钳位的隔离驱动与SiC专用驱动。

光储充方向则提供了低阻抗SiC、三电平IGBT、高压电容、UL4128连接器及导热材料等配套。

原厂协作与产业协同

据现场信息，围绕SST固态变压器、800V HVDC等相关方向，世强硬创已与20余家原厂开展市场与供应协作，包括云镓、东微、EPC、微容、数明、爱仕特、国民技术、华丰史密斯等，覆盖新产品导入、定制开发、头部客户协同与供应保障等环节。同时覆盖磁性材料、工业自动化等领域，提供技术选型、方案设计、样品到量产供应等支持。

展会现场其他展出内容

世强硬创相关负责人介绍：“世强硬创平台可提供SST固态变压器、800V转54V 12KW全砖砖块电源、800V转54V 10KW模块电源、380V AC转800V DC PSU高功率密度模块、峰值效率97.7%的3KW数字AI电源方案、高功率密度液冷散热方案支持，如有需要，可在世强硬创平台搜索，获取更详细的方案资料。”