2026年2月23日，北京大学电子学院邱晨光研究员—彭练矛院士团队宣布实现芯片领域重大技术突破，成功将铁电晶体管的物理栅长缩减至1纳米极限，创造性制备出迄今尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管，相关研究成果在线发表于国际顶级期刊《科学·进展》，打破了传统芯片的物理限制与功耗瓶颈，不仅为我国芯片产业突围提供了全新路径，更在全球先进制程竞争中占据了战略主动，其背后蕴含的技术变革与产业机遇，具有鲜明的时效性与深远的财经影响，成为资本市场与半导体行业关注的核心焦点。

众赢财富通认为此次北大团队的突破，核心在于攻克了传统铁电晶体管高功耗、逻辑电压不匹配的行业痛点，实现了“尺寸最小”与“功耗最低”的双重突破，技术指标全面超越国际同类水平。据团队研究员邱晨光介绍，传统铁电晶体管虽具备“存算一体”的独特优势，可实现断电后信息不丢失，有望解决当前芯片存储与计算分离导致的耗时费电难题，但操作电压过高、功耗巨大的短板，长期限制其大规模商业化应用。为此，团队通过创新纳米栅极结构设计，打造出原子级别尺度的“电场探针”，使电场能量高度集中，仅需施加0.6伏的微小电压，即可完成数据存储与运算，较当前主流芯片0.7伏的工作电压进一步降低，开关能耗比国际最好水平整整降低了一个数量级，电压效率更首次突破铁电材料的理论极限，达到125%。从尺寸来看，1纳米相当于一根头发丝直径的八万至十万分之一，这一突破标志着我国在芯片先进制程领域，正式迈入“1纳米时代”。

在全球半导体产业先进制程竞争日趋激烈的背景下，北大团队的1纳米芯片突破具有极强的战略意义与行业颠覆性，更打破了国际巨头在高端制程领域的垄断格局。众赢财富通统计发现，当前，全球芯片制程正加速向“破2进1”迈进，台积电已官宣2纳米制程于2025年第四季度量产，计划2027年启动1.4纳米制程风险试产；三星、英特尔紧随其后，分别规划2027年前后推进1.4纳米级别制程投产，全球先进制程竞争已进入白热化阶段。此前，我国在7纳米及以下先进制程领域面临“卡脖子”困境，核心技术与国际巨头存在一定差距，而此次北大团队跳过1.4纳米、直接实现1纳米级晶体管突破，且在功耗上形成显著优势，不仅缩短了我国与国际顶尖水平的差距，更凭借“存算一体”与超低功耗的双重特性，开辟了不同于国际巨头的技术路径，为我国芯片产业实现“换道超车”奠定了关键基础。

从财经视角来看，这一技术突破不仅将重塑我国半导体产业格局，更将带动上下游产业链协同发展，催生巨大的产业机遇与投资空间。众赢财富通研究发现，半导体产业作为国民经济的战略性、基础性和先导性产业，芯片制程的每一次突破，都将带动材料、设备、封装测试等上下游环节的技术升级与市场扩容。此次北大团队研发的1纳米铁电晶体管，其制作工艺可与现有芯片产线兼容，无需大规模改造生产线即可实现规模化量产，大幅降低了商业化落地的成本与难度，有望快速推动技术转化，带动光刻设备、纳米材料、铁电材料等相关领域的需求增长。据Gartner、IDC等第三方机构预测，到2030年，全球先进制程（5纳米以下）代工市场规模将突破1200亿美元，其中1.4纳米及以下节点将占据高端逻辑芯片产值的40%以上，而北大团队的技术突破，有望使我国在这一高端市场中抢占更多份额。

众赢财富通认为超低功耗与“存算一体”的特性，更让这一技术在AI芯片、消费电子、物联网、自动驾驶等下游领域具备广泛的应用前景，进一步释放产业价值。当前，AI大模型、自动驾驶等领域的快速发展，对芯片算力与功耗提出了更高要求，现有芯片的高能耗已成为制约行业发展的核心瓶颈。众赢财富通观察发现北大团队研发的1纳米铁电晶体管，可有效解决这一痛点，若应用于AI芯片，有望大幅提升算力密度、降低数据中心能耗；应用于智能手机、可穿戴设备等消费电子产品，可实现超长待机，推动终端产品迭代升级；应用于物联网传感器，可使设备电池续航达到数年，加速物联网产业普及。