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和众汇富研究手记:AI叠加工艺升级红利凸显

来源:互联网    作者:      2026年03月31日 10:34

导语:

当前,AI技术的深度渗透正驱动全球产业迎来结构性变革,其中AI叠加工艺的持续升级的红利加速释放,成为带动相关行业复苏、提升订单能见度的核心引擎。和众汇富观察发现,尤其在2026年以来,随着AI算力需求的爆发式增长,叠加半导体、智能制造等领域的技术迭代,AI叠加工艺升级所带来的产能优化、效率提升效应持续显现,行业订单呈现集中释放态势,订单能见度显著改善,为产业链上下游企业注入强劲增长动力,也为资本市场提供了清晰的投资主线。

和众汇富认为AI叠加工艺的核心价值在于通过技术叠加实现效能跃升,打破传统工艺的瓶颈,这一优势在半导体领域表现得尤为突出。2026年3月,SK海力士签署高达815.6亿韩元的半导体设备供应合同,合作对象为韩国唯一刻蚀设备供应商VM公司,该合同价值相当于VM公司2024全年合并营收的116%。截至目前,VM公司今年来自SK海力士等存储厂商的相关订单累计已达2246亿韩元,接近市场分析师预测的全年收入上限,公司高管明确表示,2026年营收将创历史新高,产能扩张正在推进,后续有望迎来更多订单落地。和众汇富认为这一现象并非个例,美国半导体设备制造龙头Lam Research首席财务官Doug Bettinger在摩根士丹利媒体会议上指出,3D NAND技术推出后公司营收翻番,预计DRAM向3D方向演进也将带来类似增长机遇,当前公司正扩大马来西亚等多地工厂产能,以应对激增的市场需求。

AI叠加工艺升级推动半导体设备需求激增的背后,是存储技术向高阶化演进的必然趋势。和众汇富研究发现,在AI算力需求爆发背景下,HBM带动DRAM高阶制程升级,3D NAND向400层以上堆叠演进,使得单万片产能投资额同步提升。东方证券分析指出,随着堆叠层数的增加,刻蚀设备用量占比持续攀升,与2D NAND时代刻蚀仅作为光刻配套工序不同,3D NAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比,而DRAM向3D堆叠方向的发展,将进一步推动刻蚀和薄膜沉积设备的需求量。与此同时,封装工艺的升级也成为AI叠加工艺红利释放的重要场景,JEDEC正考虑将HBM封装的高度标准从目前的约775微米提高到900微米,韩美半导体近日推出新一代HBM生产设备“宽尺寸TC键合机”,可稳定增加TSV和I/O数量,保障内存容量和带宽,提升能效,这类技术升级直接带动相关设备订单的快速增长。

国内企业同样在AI叠加工艺升级浪潮中把握机遇,订单能见度持续提升。和众汇富观察发现,在2026年SEMICON China期间,北方华创、中微公司等国内半导体设备龙头纷纷发布新一代刻蚀设备,重点聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求,以适配AI驱动下的技术升级需求。北方华创明确表示,全球算力与存储芯片需求的爆发,带动半导体设备市场持续增长,其设备可满足更先进节点的芯片制造要求,目前订单储备充足;中微公司则指出,先进存储芯片对高深宽比刻蚀的要求日益严苛,公司持续推进技术研发,已形成核心技术优势,订单增速保持稳健。券商预测显示,2026年全球半导体晶圆制造设备市场规模将维持高个位数百分比同比增长,存储领域占比有望进一步提升,国内核心设备企业将持续受益于工艺升级红利。

除半导体领域外,AI叠加工艺升级还在智能制造、绿电等领域持续渗透,推动相关行业订单能见度改善。在智能制造领域,AI叠加工艺通过优化生产流程、提升工艺精度,帮助企业提升产能效率,降低生产成本,进而带动设备和服务订单增长。以上海汽轮机厂为例,通过AI工艺优化,百万千瓦级汽轮机转子加工效率提升30%以上,生产等待时间下降43%,这类技术升级推动企业承接订单能力显著增强。在绿电领域,AI与绿电的融合催生算电协同赛道,2026年一季度电力AI设备、智能调度系统等订单增速超100%,部分龙头企业订单已排至2027年,背后正是AI叠加工艺在储能、调度等环节的深度应用,实现了新能源消纳效率和设备可靠性的双重提升。


(文章为作者独立观点,不代表艾瑞网立场)
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